一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010504542.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111785813A | 公开（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申请公布号 | CN111785813A | 申请公布日 | 2020-10-16 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 | 申请（专利权）人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法。该方法在异质衬底上制备立体掩模层；在所述异质衬底上利用所述立体掩模层外延生长III族氮化物材料；在所述III族氮化物材料上外延生长MicroLED结构层。该方法针对立体掩模衬底的特点和MicroLED较高的晶体质量要求，在立体掩模衬底上生长过程中，在沟道生长阶段插入预置应力层；在电极制作过程中使用SiNx替代常用的SiO2作为绝缘保护层；使用湿法腐蚀方法剥离衬底；采用KOH溶液处理MicroLED的底部以提高出光效率。 |
