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一种基于立体掩模衬底的半导体激光器制备方法

基本信息

申请号 CN202010505086.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111653934A 公开（公告）日 2020-09-11
申请公布号 CN111653934A 申请公布日 2020-09-11
分类号 H01S5/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 申请（专利权）人 北京飓芯科技有限公司
代理机构 北京君尚知识产权代理有限公司 代理人 北京飓芯科技有限公司
地址 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于立体掩模衬底的半导体激光器制备方法。该方法在异质衬底上制备立体掩模层，所述立体掩模层包括第一层掩模、第二层掩模和位于第一层掩模、第二层掩模之间的中间填充层，所述第一层掩模的窗口与所述第二层掩模的窗口错开一定距离；在所述异质衬底上利用所述立体掩模层外延生长III族氮化物材料；在所述III族氮化物材料上外延生长激光器结构层。本发明能够在价格低廉的蓝宝石、Si等衬底上，配合有限步骤的简单工艺和生长步骤即可获得用于GaN基激光器外延的高质量衬底，显著降低了半导体激光器的制作成本，缩减了工艺步骤，提高了半导体激光器的制作效率。