一种基于3D叠层掩模衬底的外延层材料剥离方法
基本信息
| 申请号 | CN202010025960.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111192853A | 公开（公告）日 | 2020-05-22 |
| 申请公布号 | CN111192853A | 申请公布日 | 2020-05-22 |
| 分类号 | H01L21/78;H01L21/311 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 | 申请（专利权）人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于3D叠层掩模衬底的外延材料剥离方法，用于GaN等III‑V族化合物半导体材料的外延生长及剥离，属于光电子技术领域。本衬底结构包括衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、中间层、顶层掩膜层；其中底层掩膜层的窗口与顶层掩膜层的窗口相互错开。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层剥离方法。与现有技术相比，本发明提供了一种更优化的可剥离方法，提高了剥离成功率，缩短了剥离时间，更具有使用价值。 |
