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一种双槽型3D图形叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法

基本信息

申请号 CN201910706284.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112309828A 公开（公告）日 2021-02-02
申请公布号 CN112309828A 申请公布日 2021-02-02
分类号 H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 申请（专利权）人 北京飓芯科技有限公司
代理机构 北京君尚知识产权代理有限公司 代理人 邱晓锋
地址 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种双槽型3D图形叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法，属于光电子技术领域。该双槽型3D图形叠层掩模衬底结构，包括一衬底，衬底上依次设有底层掩模层、顶层掩模层，顶层掩模层通过介质层与底层掩模层连接；底层掩模层设有周期性分布的底层窗口，顶层掩模层设有周期性分布的顶层窗口；每一个顶层窗口对应两个底层窗口，该两个底层窗口对称分布在其对应的顶层窗口的两侧。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层生长方法。本发明能消除由于晶格倾转带来的相邻条形合并形成的台阶，从而生长出大面积平整的高质量侧向外延氮化镓薄膜材料，对后续在此基础上进行大量的器件外延工作有非常关键的作用。