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一种防止侧向外延III族氮化物材料背面被刻蚀的方法

基本信息

申请号 CN201910706285.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110556287A 公开（公告）日 2019-12-10
申请公布号 CN110556287A 申请公布日 2019-12-10
分类号 H01L21/02（2006.01） 分类 基本电气元件;
发明人 张晓蓉; 郑烨琳; 冯筱; 陈明兰 申请（专利权）人 北京飓芯科技有限公司
代理机构 北京君尚知识产权代理有限公司 代理人 北京飓芯科技有限公司
地址 100190 北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种防止侧向外延III族氮化物材料背面被刻蚀的方法。该方法使用特定条件的SOG工艺制备三维图形叠层掩模衬底结构中的SiO2填充层，使得制备的衬底表面不再有凹槽，防止底层掩模窗口形成的凹槽传递到顶层掩模中，从而在外延生长过程中防止氢气从背面刻蚀已经生长的GaN等III族氮化物材料。本发明还提供了采用SOG工艺制备三维图形叠层掩模衬底结构的方法。本发明可以解决叠层衬底侧向外延GaN等III族氮化物材料过程中背面被载气氢气刻蚀的问题，从而提高晶体质量和合拢后的表面平整度，显著提高了生产的良率，降低了外延生长的难度。