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一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法

基本信息

申请号 CN201110397590.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102492986B 公开（公告）日 2014-05-28
申请公布号 CN102492986B 申请公布日 2014-05-28
分类号 C30B25/18(2006.01)I;C30B25/04(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李磊;胡晓东;刘培基;谢亚宏;李丁;贺永发;杨志坚;张国义 申请（专利权）人 北京飓芯科技有限公司
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京大学;北京飓芯科技有限公司
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字形窗口，“十”字形窗口之间为“工”字形顶层掩膜区；顶层的“工”字形顶层掩膜区两端通过分立的介质层与底层掩膜层的条形掩膜区连接；顶层“十”字形窗口与底层条形窗口相互错开。本发明同时提供了该衬底结构的制备方法以及基于该结构的外延层生长方法。与现有技术相比，本发明提供了一种一步法异质外延的衬底结构，简化了生长工序，同时提高了无位错外延膜的有效宽度，更具有使用价值。