一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201910706418.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112301325A | 公开（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申请公布号 | CN112301325A | 申请公布日 | 2021-02-02 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 | 申请（专利权）人 | 北京飓芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邱晓锋 |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村大街18号B座9层909室320号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种3D叠层掩模衬底结构及其制备方法和外延生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩模层、顶层掩模层；其中，底层掩模层设有周期性分布的特殊图形窗口，分别可以是条形、正三角形、和正六边形(在平面内的对称性是与六方晶系III族氮化物材料如GaN材料的晶体对称性一致或其子集的图形)；顶层掩模层与底层图形周期相同，但相互错开。与现有技术相比，本发明提供了一种更优化的图形设计，同时提高了无位错外延膜的有效宽度，更具有使用价值，能够制备铺满整个衬底表面的连续平整的高质量外延层III族氮化物薄膜，能够更充分的兼容后续器件工艺。 |
