有机泡沫导电化处理的真空蒸镀法及设备

基本信息

申请号 CN01119666.1 申请日 -
公开(公告)号 CN1117174C 公开(公告)日 2003-08-06
申请公布号 CN1117174C 申请公布日 2003-08-06
分类号 C23C14/24;C23C14/20;C23C14/56 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 胡显奇;盛钢 申请(专利权)人 深圳市坦达尼真空表面技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518053广东省深圳市华侨城东部工业区E5栋5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的有机泡沫导电化处理的真空蒸镀法及设备,属于用作制造电池电极基板泡沫镍中对有机泡沫导电膜的制备。用电弧放电的真空蒸镀法和镀膜室两侧各有一组平面电弧靶和辅助离化装置,可以同时双面均匀地直接实现连续带状泡沫的导电化处理。低温镀膜、沉积速率高、基体不变形,克服了液相法和磁控溅射法的主要不足,将已制备导电膜的有机泡沫用作电镀阴极所制得的连续带状泡沫镍,具有抗拉强度强、内电阻小、柔韧性好的特点。本发明还可用于用作电池电极基板的其它连续带状卷材的真空镀膜。