过热自我保护的半导体三极管
基本信息
| 申请号 | CN202120538352.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215008204U | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN215008204U | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | H01L23/427（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L29/73（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王雪姬 | 申请（专利权）人 | 深圳中正微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市创富知识产权代理有限公司 | 代理人 | 佘婷婷 |
| 地址 | 518100广东省深圳市宝安区新安街道大浪社区创业二路东联大厦B506 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种过热自我保护的半导体三极管，包括三极管本体和三个第一插脚，所述过热自我保护的半导体三极管还包括底座、环状体、第二插脚、套筒、连接杆、活塞和活塞杆，所述底座上竖向设有三个槽孔，所述环状体固定在所述底座上，其顶部向下凹形成三个通孔，所述活塞竖直滑动设置在所述通孔内，所述活塞杆固定在所述活塞上，其顶端伸出所述通孔，所述通孔内于所述活塞的下方设有冷媒，所述三极管本体置于所述底座上并位于所述环状体内。本实用新型能有效地防止了三极管因温度继续升高而烧环，实现了三极管的过热自我保护，确定电路板的正常使用；同时，冷媒吸热对三极管起到一定的散热作用。 |
