一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法
基本信息
| 申请号 | CN202010582950.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111781801B | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN111781801B | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | G03F7/20（2006.01）I;G03F1/68（2012.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 马乐;韦亚一;董立松;杨尚 | 申请（专利权）人 | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏博知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈婧 |
| 地址 | 211899江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨路320号科创一号大厦B座21楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。 |
