AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器
基本信息
| 申请号 | CN202010954072.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112038217B | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN112038217B | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李红浪;柯亚兵 | 申请（专利权）人 | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 地址 | 510700 广东省广州市黄埔区开源大道136号D栋1004室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种AlN单晶薄膜的生长方法，在硅酸镓镧类单晶上生长AlN单晶薄膜，所述硅酸镓镧类单晶的取向相对于AlN单晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范围内。该方法显著提高沉积的AlN单晶薄膜的质量，提高单晶衍射峰的半高宽和薄膜的均匀一致性，有利于提高器件的性能。 |
