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生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底

基本信息

申请号 CN202210204788.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114582711A 公开（公告）日 2022-06-03
申请公布号 CN114582711A 申请公布日 2022-06-03
分类号 H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 分类 基本电气元件;
发明人 贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 申请（专利权）人 北京大学东莞光电研究院
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李秋梅
地址 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。