一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构
基本信息
| 申请号 | CN202111630619.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114335194A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114335194A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新强;王琦;梁智文 | 申请（专利权）人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 俱玉云 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构，包括衬底材料层、氮化铝薄膜层、N型氮化镓薄膜层、金属欧姆接触层和金属肖特基接触层；其中所述衬底材料层顶侧设置有氮化铝薄膜层，所述氮化铝薄膜层顶侧设置有N型氮化镓薄膜层，所述N型氮化镓薄膜层右端顶侧设置有金属欧姆接触层，与其对应的所述N型氮化镓薄膜层左端顶侧设置有金属肖特基接触层。该种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构设计新颖、结构简单，解决现有氮化镓上材料器件可靠性问题，可以实现高质量高耐压肖特基二极管，可以有效避免传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化薄膜铝层把器件功能层与衬底材料层结合在一起，实现低成本，低应力，高均匀性的器件材料。 |
