一种金刚石上生长氮化物的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111630538.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334611A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334611A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新强;王琦;梁智文 | 申请（专利权）人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 俱玉云 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种金刚石上生长氮化物的方法，所述金刚石上生长氮化物的方法包括如下步骤：制备一组金刚石单晶衬底和三组金刚石多晶抛光衬底，在其中一组金刚石单晶衬底上制备氮化镓/石墨烯/金刚石的材料，在另三组金刚石多晶抛光衬底上制备氮化镓/硫化钼/金刚石的材料。本申请解决氮化物直接在金刚石上生长遇到的晶格失配及应力失配问题，通过本申请，可以实现直接在金刚石上生长高质量的氮化物外延材料。 |
