用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111629561.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318524A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318524A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 谢胜杰;刘南柳;姜永京;陈俊成;王琦;张国义 | 申请（专利权）人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 代理机构 | 东莞恒成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 姚伟旗 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法，该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块，托盘与支撑杆均安装于加热炉内，托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆，支撑杆连接托盘，支撑杆用于驱动托盘转动；温度传感器安装于托盘上，引线的一端连接温度传感器，另一端连接温度控制模块，引线穿设支撑杆，并用粘接剂密封；工作时，生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度，且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温，测温和控温精确，确保调控晶圆外延生长的均匀性，实现大尺寸晶圆生长的一致性。 |
