一种SiC基MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202022768415.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213242540U | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN213242540U | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L23/367;H01L23/16;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王金秋;关世瑛 | 申请（专利权）人 | 上海芯石微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201600 上海市松江区新浜镇新绿路398号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种SiC基MOS器件，包括金属散热底板，所述金属散热底板开设有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主体，所述MOS管主体包括引脚，所述金属散热底板开设有两个扣槽，两个所述扣槽开设有滑槽，所述滑槽滑动匹配有压块，所述压块与滑槽之间连接有弹簧，所述金属散热底板铰接有金属散热盒盖，所述金属散热盒盖两侧及顶部均设有散热片，所述金属散热盒盖顶部开设有散热孔，所述金属散热盒盖开设有插槽，所述插槽匹配有吸尘网，所述金属散热盒盖开设有与引脚位置对应的让孔，所述金属散热盒盖连接有两个位置对应扣槽的Z型扣块。 |
