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一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件

基本信息

申请号 CN201621301959.X 申请日 -
公开（公告）号 CN206451709U 公开（公告）日 2017-08-29
申请公布号 CN206451709U 申请公布日 2017-08-29
分类号 H01L27/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 关世瑛 申请（专利权）人 上海芯石微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201605 上海市松江区新浜镇香长公路1960号102室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件是在N+衬底两面同时形成上、下外延层N‑，在上、下外延层表面分别形成上、下肖特基势垒区，在上、下肖特基势垒区边缘，分别有上、下P+保护环，在上、下肖特基势垒区表面的金属层，分别形成器件的上、下阳极，在器件的上、下边缘，分别围绕高浓度的N型上、下掺杂环，上掺杂环连接的金属层形成器件的共阴极；一颗本实用新型的器件，可实现半桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要两颗传统的肖特基器件才能实现；同时，本实用新型器件的芯片与一颗传统的肖特基器件的芯片尺寸相当，因此与同规格传统的半桥整流肖特基器件比，可实现半桥整流肖特基器件的封装小型化。