一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410384819.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104124283B | 公开（公告）日 | 2018-10-26 |
| 申请公布号 | CN104124283B | 申请公布日 | 2018-10-26 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关世瑛;洪旭峰 | 申请（专利权）人 | 上海芯石微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201605 上海市松江区新浜镇香长公路1960号102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法；该肖特基势垒器件具有掺磷肖特基势垒区(P‑MSi)，较传统的肖特基器件，在金属硅化物中，进行低能量、小束流注入掺杂磷，通过快速退火激活磷杂质，形成掺杂磷的金属硅化物势垒结（P‑MSi），同等面积下，具有低的正向饱和压降(VF)的优势。 |
