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一种具有复合结构的快恢复二极管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201910928403.5 申请日 -
公开（公告）号 CN110534582A 公开（公告）日 2019-12-03
申请公布号 CN110534582A 申请公布日 2019-12-03
分类号 H01L29/868;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 关世瑛;王金秋 申请（专利权）人 上海芯石微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201605 上海市松江区新浜镇新绿路398号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有复合结构的快恢复二极管器件，器件具有通过深沟槽绝缘层隔离的两种类型漂移区的PN结并联结构，第一PN结以N型半导体为漂移区，第二PN结以P型半导体为漂移区,第二PN结的阴极区的掺杂浓度高，与第一PN结的第一副漂移区相接，且存在高浓度的原位多子载流子，将与正向工作时在第一PN结的漂移区内积累的空穴载流子发生复合，并能增加电子空穴对的复合率，因此同等条件下，可进一步加快反向恢复过程，获得更低的反向恢复时间Trr值，使本器件具有更优的优值。另外本发明，提出的制造流程，与传统的快恢复二极管芯片制造设备兼容，可以容易的实现本发明的一种具有复合结构的快恢复二极管器件。