一种多功能铝和氧化铝结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711131411.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107833874A | 公开（公告）日 | 2018-03-23 |
| 申请公布号 | CN107833874A | 申请公布日 | 2018-03-23 |
| 分类号 | H01L23/535;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛维平 | 申请（专利权）人 | 上海芯石微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201605 上海市松江区新浜镇香长公路1960号102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于铝金属引线的半导体器件，常规器件制造工艺需要3步光刻才能完成引线孔、金属布线及钝化，此发明利用光刻、注入技术对铝金属层做局部氧化，只用1步光刻，就能完成常规工艺需要3步光刻才能完成的引线孔、金属布线及钝化，大幅度降低半导体器件生产成本，提高成品率，且氧化铝材料致密，化学稳定性极好，提高了器件可靠性。 |
