一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN201810919488.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109360852A | 公开（公告）日 | 2019-02-19 |
| 申请公布号 | CN109360852A | 申请公布日 | 2019-02-19 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛维平;关世瑛 | 申请（专利权）人 | 上海芯石微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201605 上海市松江区新浜镇新绿路398号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。 |
