一种晶片清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN201910325202.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047736B | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN110047736B | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘青彦;杨清明;黄建友;唐浚淇 | 申请（专利权）人 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 | 代理人 | 王伟 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新技术产业开发区西部园区百叶路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶片清洗方法，属于电子材料清洗领域。本发明首先采用碱性清洗液对晶片进行超声波清洗，去离子水冲洗以及去离子水超声波清洗从而有效清洗晶片表面的有机物、金属氧化物、微粒等，整个清洗过程清洗效果好、清洗效率高、清洗成本低，适于工业上广泛应用；并且在清洗过程中，实时检测清洗各步骤中清洗液浓度、温度、电阻等参数变化，保证清洗过程中各参数在最优范围内，保证了清洗的效果。 |
