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一种硅基发光二极管结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110799492.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113257972A	公开（公告）日	2021-08-13
申请公布号	CN113257972A	申请公布日	2021-08-13
分类号	H01L33/38;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	邓群雄;郭文平;王晓宇	申请（专利权）人	元旭半导体科技股份有限公司
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	郑宪常
地址	261000 山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区
法律状态	-

摘要

本发明属于LED芯片技术领域，提供了一种硅基发光二极管结构，包括通过绝缘填充区域分割为N电极区域和P电极区域的硅基衬底，N电极区域和P电极区域的硅基衬底底面分别设有N焊接电极、P焊接电极；N电极区域的硅基衬底正面由下而上依次设有N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，透明导电层上方设有覆盖绝缘填充区域的钝化绝缘层，钝化绝缘层上方设有延伸并覆盖至P电极区域硅基衬底的P电极传输层，P电极传输层通过钝化绝缘层上的暴露区分别与透明导电层、P电极区域的硅基衬底接触连接。本发明无需焊线即可实现与封装基板的电气相连，不用考虑抗物质扩散及性能不稳定、可焊性差等问题，且能够依据需求制作为所需的异形外观结构。