一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片

基本信息

申请号	CN202110304549.X	申请日	-
公开（公告）号	CN112701205B	公开（公告）日	2021-09-24
申请公布号	CN112701205B	申请公布日	2021-09-24
分类号	H01L33/48;H01L33/54;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	邓群雄;覃志伟;郭文平	申请（专利权）人	元旭半导体科技股份有限公司
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	马春燕
地址	261000 山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区
法律状态	-

摘要

本发明涉及深紫外发光二极管封装技术领域，提供了一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片，制备方法包括蓝宝石衬底的外延制备、芯片制备、基板衬底的制备以及芯片与基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片结构区及芯片密封区；芯片结构区包括蓝宝石、n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、设置有P型欧姆接触及N型欧姆接触的绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、第一面电路、基板及第二面电路；芯片密封区包括n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、沉积层及基板。本发明解决了目前的深紫外芯片封装过程中，使用有机材料进行封装，易出现有机材料老化或降解，对芯片造成破坏，影响芯片稳定及使用寿命的问题。