一种紫外灯珠封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210125173.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156389A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156389A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/52（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I;H01L23/544（2006.01）I;H01L23/60（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邓群雄;郭文平;王晓宇 | 申请（专利权）人 | 元旭半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 济南诚智商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 田祥宝 |
| 地址 | 261000山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于LED封装技术领域，提供了一种紫外灯珠封装结构及其制备方法，紫外灯珠封装结构包括基板，基板的封装面和背面均设有第一金属层，两面的第一金属层的电极区域相连接，且封装面的第一金属层的电极区域上设有齐纳芯片，封装面的第一金属层还具有外围区域，各区域的第一金属层上分别设有第二金属层，第二金属层的电极区域的高度大于/等于其外围区域和齐纳芯片的高度，且第二金属层的电极区域上设有UVC芯片；第二金属层通过其外围区域密封安装有石英透镜，石英透镜包覆UVC芯片和齐纳芯片，且与UVC芯片、齐纳芯片间填充有抗UVC特性的填充剂。本发明大大提升了光的封装效率及灯珠的气密性，且使得该封装结构的抗静电击穿和过压保护性能大大提高。 |
