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硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片

基本信息

申请号 CN202011189724.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112731718A 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN112731718A 申请公布日 2021-04-30
分类号 G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/13 分类 光学;
发明人 陈弈星;唐平大;于钦杭 申请（专利权）人 南京芯视元电子有限公司
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 俞翠华
地址 210032 江苏省南京市江北新区星火路14号长峰大厦1号试验楼201室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片，方法包括：在衬底上淀积第一介电层；刻蚀第一介电层形成第一开口结构；淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀第一金属层形成焊盘结构；在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层；刻蚀第三介电层形成第二开口结构；刻蚀第一介电层和第二介电层，形成第三开口结构；淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造。本发明可以使芯片焊盘结构位置低于像素电极位置，芯片整体平整度得到大幅度提高，从而可以精确控制液晶厚度，提高硅基液晶显示芯片性能。