半极性氮化镓单量子阱层发光器件
基本信息
| 申请号 | CN201822027731.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208970550U | 公开（公告）日 | 2019-06-11 |
| 申请公布号 | CN208970550U | 申请公布日 | 2019-06-11 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 黄剑飞 |
| 地址 | 277300 山东省枣庄市高新区复元三路智能制造小镇五号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y中的x逐渐增大。 |
