将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法
基本信息
| 申请号 | CN201811473218.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585615B | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585615B | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710003陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。 |
