具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层
基本信息
| 申请号 | CN201822021967.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209029404U | 公开（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申请公布号 | CN209029404U | 申请公布日 | 2019-06-25 |
| 分类号 | H01L33/16（2010.01）I; H01L33/18（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; H01S5/30（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰; 宋杰; 崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种具有(20‑2‑1)面的半极性氮化镓的外延层，包括：第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层，其中第一半极性氮化镓外延层生长于图案化蓝宝石衬底上，而第二半极性氮化镓外延层采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长在第一半极性氮化镓外延层的背向图案化蓝宝石衬底的表面上，第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层背向图案化蓝宝石衬底的一面都具有(20‑21)取向；以及第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的通过化学‑机械抛光法(CMP)进行平坦化处理的表面具有(20‑2‑1)取向。 |
