半极性氮化镓半导体构件

基本信息

申请号 CN201822027655.4 申请日 -
公开(公告)号 CN208970551U 公开(公告)日 2019-06-11
申请公布号 CN208970551U 申请公布日 2019-06-11
分类号 H01L33/14(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈辰; 宋杰; 崔周源 申请(专利权)人 西安赛富乐斯半导体科技有限公司
代理机构 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 西安赛富乐斯半导体科技有限公司
地址 710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室
法律状态 -

摘要

摘要 本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件,其包括:N型氮化镓层;P型氮化镓层;有源层,位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间,包括最多两个量子阱层;以及第一泄漏电流防护层,位于N型氮化镓层与有源层之间;以及第二泄漏电流防护层,位于有源层与P型氮化镓层之间。