半极性氮化镓半导体构件
基本信息
申请号 | CN201822027655.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN208970551U | 公开(公告)日 | 2019-06-11 |
申请公布号 | CN208970551U | 申请公布日 | 2019-06-11 |
分类号 | H01L33/14(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈辰; 宋杰; 崔周源 | 申请(专利权)人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
地址 | 710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件,其包括:N型氮化镓层;P型氮化镓层;有源层,位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间,包括最多两个量子阱层;以及第一泄漏电流防护层,位于N型氮化镓层与有源层之间;以及第二泄漏电流防护层,位于有源层与P型氮化镓层之间。 |
