半极性氮化镓半导体构件
基本信息
| 申请号 | CN201822027655.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208970551U | 公开（公告）日 | 2019-06-11 |
| 申请公布号 | CN208970551U | 申请公布日 | 2019-06-11 |
| 分类号 | H01L33/14（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰; 宋杰; 崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多两个量子阱层；以及第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。 |
