半导体构件
基本信息
| 申请号 | CN201822021968.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208889687U | 公开（公告）日 | 2019-05-21 |
| 申请公布号 | CN208889687U | 申请公布日 | 2019-05-21 |
| 分类号 | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 黄剑飞 |
| 地址 | 277300 山东省枣庄市高新区复元三路智能制造小镇五号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种半导体构件，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面，具有第一厚度，所述第一GaN半导体层中具有在其穿透位错处通过刻蚀而形成的空腔，并且所述空腔的深度小于第一厚度；以及第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，所述第二GaN半导体层封闭第一GaN半导体层内的刻蚀空腔。 |
