半导体晶片
基本信息
| 申请号 | CN201822029819.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208970547U | 公开（公告）日 | 2019-06-11 |
| 申请公布号 | CN208970547U | 申请公布日 | 2019-06-11 |
| 分类号 | H01L33/02（2010.01）I; H01L33/16（2010.01）I; H01L33/20（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; H01S5/30（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰; 宋杰; 崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710003 陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
