在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件
基本信息
| 申请号 | CN201822021971.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208970548U | 公开（公告）日 | 2019-06-11 |
| 申请公布号 | CN208970548U | 申请公布日 | 2019-06-11 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 黄剑飞 |
| 地址 | 277300 山东省枣庄市高新区复元三路智能制造小镇五号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供一种在无层错半极性(20‑21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：无层错半极性面(20‑21)GaN基板；位于无层错半极性(20‑21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。 |
