功率半导体模块及其封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201811507321.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109637984B | 公开（公告）日 | 2020-12-15 |
| 申请公布号 | CN109637984B | 申请公布日 | 2020-12-15 |
| 分类号 | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 左义忠;杨寿国;高宏伟;邢文超 | 申请（专利权）人 | 吉林华耀半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 地址 | 132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体模块及其封装方法，涉及功率半导体模块开发技术领域，其中功率半导体模块包含阻尼模块，所述阻尼模块包括封装在一起的电压阻断芯片和阻尼芯片，所述电压阻断芯片的负极与所述阻尼芯片的正极相连接。通过本发明提供的功率半导体模块，其中的阻尼模块可替代传统功率半导体模块中与开关芯片并联的快速恢复二极管，缓解了反向恢复过程中产生的电压尖峰，降低了开关芯片驱动设计难度。 |
