硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片
基本信息
| 申请号 | CN202010989107.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203855A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203855A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0236（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 叶晓亚;曹芳;周思洁;邹帅;王栩生 | 申请（专利权）人 | 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宋启超 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片，基于本发明所提供的硅片复合绒面制作方法，能够在硅片表面正金字塔结构的顶部形成倒金字塔腐蚀坑，即所获取的硅片表面形成有由正金字塔结构与倒金字塔腐蚀坑共同构成的复合绒面，在具体应用于太阳能电池片的场景中，该复合绒面具有正金字塔钝化效果好、开压高的优点；还能够兼具倒金字塔陷光效果好、电流高、与电极接触面积大、接触电阻小的优势。 |
