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一种氧化镓功率器件钝化层及其钝化方法

基本信息

申请号	CN202011597461.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112635409A	公开（公告）日	2021-04-09
申请公布号	CN112635409A	申请公布日	2021-04-09
分类号	H01L23/29;H01L21/56	分类	基本电气元件;
发明人	赵浩男;徐潇迪;武锦	申请（专利权）人	中科芯（苏州）微电子科技有限公司
代理机构	南京禾易知识产权代理有限公司	代理人	翁亚娜
地址	215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢505、507
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氧化镓功率器件钝化层及其钝化方法，属于半导体功率器件技术领域，其中氧化镓功率器件钝化层的制备方法，包括：形成Ga₂O₃外延层；在所述Ga₂O₃外延层表面形成SIPOS钝化层；在所述SIPOS钝化层上形成氧化镓功率器件钝化层。也就是说，本发明通过在Ga₂O₃外延层表面形成掺氧多晶硅钝化层的方式，可有效屏蔽现有钝化工艺引入的缺陷、陷阱等因素对氧化镓功率器件终端性能的影响，从而提升了器件终端区钝化层的质量，减小界面态、界面陷阱、界面电荷等因素对器件终端结构的影响，也提升了器件性能，结构简单，工艺简单，能耗低，从而大大提高了制备氧化镓功率器件的高效性和可靠性，也提高了氧化镓功率器件的使用寿命。