一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201310257933.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104253182B | 公开（公告）日 | 2019-07-16 |
| 申请公布号 | CN104253182B | 申请公布日 | 2019-07-16 |
| 分类号 | H01L33/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层，有源区包括阱层和垒层，所述有源区的生长周期数为3m个周期，有源区包括三个部分，每个部分生长m个周期，垒层由AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yN层和InzGa1‑zN层组成，其中，1≤m≤5。同现有技术相比，本发明能减缓溢流现象和降低能带的弯曲，提高内量子效率，从而有效提高出光效率。 |
