一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构
基本信息
| 申请号 | CN201710683480.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109390444A | 公开（公告）日 | 2019-02-26 |
| 申请公布号 | CN109390444A | 申请公布日 | 2019-02-26 |
| 分类号 | H01L33/10;H01L33/20;H01L21/86 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴飞翔;朱剑峰;胡荣;葛海;李文忠 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，属于半导体光电子技术领域。本发明包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N型GaN层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔。同现有技术相比，本发明通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。 |
