一种低位错密度和残余应力的LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201510258317.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106299048B | 公开（公告）日 | 2019-03-08 |
| 申请公布号 | CN106299048B | 申请公布日 | 2019-03-08 |
| 分类号 | H01L33/02（2010.01）I; H01L33/04（2010.01）I; H01L33/12（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程腾; 翟小林; 俞登永; 赖志豪; 曾奇尧; 林政志 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低位错密度和残余应力的LED外延结构，涉及半导体发光领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述u型GaN层从下至上依次包括u‑GaN三维生长层、u‑GaN二维块体生长层和u‑GaN二维掺杂超晶格生长层。所述u‑GaN二维掺杂超晶格生长层包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层和变温变压未掺杂GaN层，变温变压掺杂GaN层中的掺杂元素为Si。同现有技术相比，本发明通过结构的变化，有效降低位错密度和残余应力，提高器件的光电特性。 |
