一种具有应力补偿效应垒层的LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201510589866.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106549086B | 公开（公告）日 | 2019-07-16 |
| 申请公布号 | CN106549086B | 申请公布日 | 2019-07-16 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;郑建钦;吴真龙;曾颀尧;董发;李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明结构从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区与电子阻挡层之间设有应力补偿效应垒层。所述应力补偿效应垒层从下至上依次包括本征半导体层、N型半导体层和P型半导体层。同现有技术相比，本发明通过增加垒层，可以提高电子阻挡效益、增加电动注入、减少效率衰减从而提高辐射复合几率，以达到增强LED内量子效率的目的。 |
