一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201410590238.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105552186B | 公开（公告）日 | 2019-03-08 |
| 申请公布号 | CN105552186B | 申请公布日 | 2019-03-08 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I; H01L33/14（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇; 张晓龙; 俞登永; 郑建钦; 曾欣尧; 童敬文; 吴东海; 李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。所述浅量子阱层与有源区之间插入抑制极化效应垒层，所述抑制极化效应垒层从下至上包括AlxGa1‑xN层和SiN层。本发明通过在现有外延结构中插入一种新型垒层，释放应力、抑制极化、降低缺陷密度从而提高辐射复合几率，降低极化效应，以达到增强LED内量子效率的目的。 |
