一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201610624642.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107689406A | 公开（公告）日 | 2018-02-13 |
| 申请公布号 | CN107689406A | 申请公布日 | 2018-02-13 |
| 分类号 | H01L33/14;H01L33/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴真龙;田宇;郑建钦;李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构，属于半导体光电子领域。本发明结构包括衬底层、成核层、AlN层、N型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、复合电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层。其结构特点是，所述复合电子阻挡层分为两层，其与多量子阱有源层接触一侧为AlN阻挡层，其与P型AlGaN层接触一侧为高Al组分AlzGa1‑zN阻挡层，y |
