一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201610044801.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105543969B | 公开（公告）日 | 2018-05-01 |
| 申请公布号 | CN105543969B | 申请公布日 | 2018-05-01 |
| 分类号 | C30B29/40;C30B25/18;C23C16/34;C23C16/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吴真龙;曾颀尧;郑建钦;田宇;李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种改善AlN薄膜晶体质量的生长方法，涉及Ⅲ族氮化物的金属有机物化学气相沉积MOCVD生长技术领域。本发明采用两步法生长AlN薄膜，包括以下步骤：1）清洁烘烤衬底；2）氮化或预通三甲基铝；3）低温生长AlN缓冲层；4）升温退火；5）高温生长AlN薄膜；上述步骤3）和步骤5）中至少有一个步骤需通入三甲基镓作为表面活性剂。同现有技术相比，用本发明方法制备的AlN薄膜，具有位错密度小、表面平整度好的特点。 |
