一种高复合效率的LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201510258289.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106299056B | 公开（公告）日 | 2018-08-03 |
| 申请公布号 | CN106299056B | 申请公布日 | 2018-08-03 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;徐晶;郑建钦;曹强;杜小青;吴梅梅;钱凯 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高复合效率的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区从下至上包括阱层和复合垒层，复合垒层和阱层交替生长。所述复合垒层包括Si掺杂垒层和Si&Mg&Si掺杂垒层。本发明用在复合垒层中再掺杂Si&CP2Mg垒层，通过改变垒层Si&CP2Mg的掺杂浓度降低复合垒层的粗糙度并将复合垒层能级变得平滑，使得空穴传送更加容易，从而提高辐射复合几率，降低极化效应，增强LED出光效率。 |
