一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201510445284.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106711303A | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN106711303A | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田宇;郑建钦;吴真龙;曾颀尧;李鹏飞 | 申请（专利权）人 | 南通同方半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明结构从下至上依次包括衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述衬底为GaAs衬底，所述缓冲层包括ZnO缓冲层和生长在ZnO缓冲层上的金属氮化物缓冲层，所述U型GaN层从下至上依次包括U1型GaN层、布拉格反射层和U2型GaN层。同现有技术相比，本发明采用GaAs衬底，具有品质高、易解离且成本相对比较低的特点，而且易做垂直结构、易于p型掺杂，可提高出光效率。 |
