一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202010143277.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111313234B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN111313234B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁维遵;刘嵩 | 申请（专利权）人 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王华英 |
| 地址 | 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法与应用，包括，至少两个发射器，每一所述发射器包括至少两个发射单元，所述发射单元之间设置有第一导电连接层；至少一个绝缘区，设置在所述至少两个发射器之间；其中，所述至少两个发射器通过串联连接。本发明提出的垂直腔面发射激光器阵列可以提高发光面积。 |
