一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用
基本信息
申请号 | CN202010143255.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111211482B | 公开(公告)日 | 2021-09-14 |
申请公布号 | CN111211482B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
分类号 | H01S5/042;H01S5/183 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张成;刘嵩;梁栋;翁玮呈;丁维遵;赵励;张鹏飞;毛明明 | 申请(专利权)人 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 王华英 |
地址 | 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用,包括,衬底;第一反射层,形成在所述衬底上;至少两个发光单元,形成在所述第一反射层上,每一所述发光单元包括至少两个发光子单元;第一沟槽,形成在所述至少两个发光单元之间,所述第一沟槽暴露出所述衬底;绝缘层,形成在所述第一沟槽内;第一电极,形成在所述至少两个发光单元上,连接所述至少两个发光单元,且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接,形成公共阳极;至少两个第二电极,与所述第一反射层接触;其中,所述第一电极覆盖所述发光子单元,所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。 |
