一种垂直腔面发射激光器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010143670.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111313235B | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN111313235B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/042 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁栋;张成;翁玮呈;丁维遵;刘嵩 | 申请（专利权）人 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王华英 |
| 地址 | 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种垂直腔面发射激光器，包括，外延结构，包括第一反射层，有源层及第二反射层；至少一个第一沟槽，形成在所述外延结构上，并且贯穿所述外延结构；多个第二沟槽，形成在所述多个第一沟槽之间，贯穿部分所述外延结构，暴露出所述第一反射层，将所述外延结构分成多个发光单元；至少两个绝缘层，形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内，且部分所述至少两个绝缘层形成在所述多个发光单元之间；第一电极，形成在所述第一反射层的背面上；至少两个第二电极，形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内，每一所述发光单元内的多个发光子单元通过所述第二电极连接。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。 |
