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垂直腔面发射激光器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110503049.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112993752B 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN112993752B 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01S5/183 分类 基本电气元件;
发明人 梁栋;张成;刘嵩 申请（专利权）人 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一反射层，覆盖衬底；有源层，位于第一反射层远离衬底的一侧；第二反射层，位于有源层远离第一反射层的一侧；第一氧化层，位于第二反射层内沿第一方向相对的两侧；电极金属层，位于第二反射层远离有源层的一侧，且与第一氧化层对应；第二反射层内还设置有第一离子注入层；沿第一方向和第二方向，第一离子注入层均延伸至第二反射层的边界；沿第三方向，第一离子注入层与第二反射层的边界不接触；其中，第二方向为垂直于衬底的方向，第一方向与第三方向相交且均与第二方向垂直。本发明实施例能够提高垂直腔面发射激光器的调制频率。