具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元
基本信息
| 申请号 | CN202011180273.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750948A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112750948A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L27/24 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵亮 | 申请（专利权）人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹廷廷 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1栋A座14楼A-08室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元。在一些实施方式中，一种多电平一次性可编程存储单元包括：顶电极；底电极；以及设于所述顶电极和底电极之间的多个介电层，其中，满足至少以下一个条件：至少两个介电层为不同的介电材料；该多电平一次性可编程存储单元包括至少一个金属层，其中，每一个金属层均设置于两个介电层之间。 |
